تهران- ایرنا- پژوهشگران دانشکدگان فنی دانشگاه تهران در مطالعه‌ای با بررسی عملکرد تک‌لایه WSi₂N₄ در ترانزیستورهای اثر میدانی (FET) و ترانزیستورهای تونلی(TFET)، راهکاری برای افزایش بهره‌وری انرژی و بهبود عملکرد ادوات الکترونیکی ارائه کردند.

دیدگاهتان را بنویسید

آدرس ایمیل شما منتشر نخواهد شد. فیلدهای ضروری با * مشخص شده‌اند

درج دیدگاه